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IGBT單管

650V，1200V 超級(jí)結(jié)技術(shù)，開關(guān)損耗低，芯片薄，工作頻率高； 混封半/全電流SiC SBD，更高開關(guān)頻率和效率； TO-247-3或TO-247P-3 標(biāo)準(zhǔn)封裝，TO-247-4L 封裝開爾文結(jié)構(gòu)效率更優(yōu)。

  • 電壓
    650 V
    750 V
    1200 V
  • 電流
    200 A
    100 A
    75 A
    50 A
    40 A
    25 A
    15 A
  • VCE_SAT/EOFF@Tc=25℃
    1.3V/7mJ
    1.45V/2.4mJ
    1.45V/0.4mJ
    1.6V/1.14mJ
    1.61V/2.84mJ
    1.61V/2.7mJ
    1.61V/2.6mJ
    1.65V/0.8mJ
    1.66V/2.5mJ
    1.66V/2.1mJ
    1.7V/2.5mJ
    1.91V/2.9mJ
  • IGBT工藝
    SJ-IGBT Gen1
    SJ-IGBT Gen2
    Field-stop IGBT
  • Package
    TO-247Plus-3L
    TO-247-3L
    TO-247Plus-4L
    TO-247-4L

顯示0種產(chǎn)品

產(chǎn)品型號(hào)
電壓
電流
VCE_SAT/EOFF@Tc=25℃
IGBT類型
合封二極管
Status
IGBT工藝
Package