華太電子 榮獲“2021-2022中國IGBT創(chuàng)新獎

2022年8月18日，由中國半導體行業(yè)協(xié)會、中國電子信息產(chǎn)業(yè)發(fā)展研究院等部門主辦的2022世界半導體大會隆重舉行。華太憑借多年在功率器件技術(shù)領(lǐng)域深耕多項技術(shù)指標達到國際領(lǐng)先，榮獲“2021-2022中國IGBT創(chuàng)新獎”。

華太電子掌握功率器件和模塊的核心設(shè)計、工藝及封裝技術(shù)。擁有高魯棒性且高性價比的先進Super IGBT結(jié)構(gòu)技術(shù)，可提供優(yōu)越的通態(tài)損耗和開關(guān)損耗性能與高可靠性, 提高逆變器功率密度。華太Super IGBT技術(shù)開關(guān)損耗低，工作頻率高；在提高開關(guān)速度的同時保持低通態(tài)壓降，多項技術(shù)指標國際領(lǐng)先，已量產(chǎn)發(fā)貨。